我科学家制备出 强发光偏向性量子点质料
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科技日报讯 (记者吴长锋)记者3月28日从中国科学手艺大学获悉，该校中国科学院微观磁共振重点实验室杜江峰院士、樊逢佳教授等人与其他科研职员互助，在量子点合成历程中引入晶格应力，调控量子点的能级结构，获得了具有强发光偏向性的量子点质料，此质料应用在量子点发光二极管(QLED)中有望大幅提升器件的发光效率。这一研究功效日前揭晓在《科学希望》杂志上。
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外量子效率(EQE)是QLED器件性能的一个主要评价指标，因此一直是海内外相关研究关注的重点。然而随着研究的推进，器件的内量子效率已经趋于极限，这时若要进一步提升EQE须从外耦合效率角度入手，即提升器件的发光效率。在提升外耦合效率方面，外加光栅或散射结构的方式会增添分外的成本，并带来诸如角度色差等问题。基于此，不增添分外的结构而使用具有偏向性的发光质料，被以为是一种更为可行的解决方案。
然而，QLED中使用的量子点质料并不具有自然的发光偏振，针对这一点，研究团队经由理论盘算和实验设计，在核—壳量子点制备历程中引入纰谬称应力，该应力乐成调制了量子点的能级结构，使量子点的最低引发态变为由重空穴主导的面内偏振能级。随后，他们使用背焦面成像等手段确认了此量子点质料的发光偏振，88%的面内偏振占比使该质料具有很强的发光偏向性。
发光偏向性的提升可以将QLED的效率极限从30%提升到39%，为制造超高效率的QLED器件提供了一种新的解决思绪。
【编辑:吴涛】